围绕化合物半导体氮化镓（GaN）材料技术及研制应用于人工智能领域的大规模模拟和数字驱动芯片。其中人工智能动力系统芯片、SDR 无人机芯片、高集成AM数字驱动mini/micro LED芯片及HEMT、PHEMT器件等获得数10项发明专利。
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中科无线半导体，由中国科大校友团队创办，具备多年化合物功率半导体研发及产业化经验，是一家基于化合物材料研发及生产的高端模拟芯片设计公司。
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频率:2GHz~6GHz; 功率:33dBm
电压:28V; 增益:22dB; 电流:0.65A;
尺寸：7.8×4.8×3mm
支持LNA_EN,PA_EN,Vc1
频率:2GHz~6GHz; 功率:37dBm
频率:2GHz~6GHz; 功率:45dBm
电压:28V; 增益:21dB 电流:3.5A;
