围绕化合物半导体氮化镓（GaN）材料技术及研制应用于人工智能领域的大规模模拟和数字驱动芯片。其中人工智能动力系统芯片、SDR 无人机芯片、高集成AM数字驱动mini/micro LED芯片及HEMT、PHEMT器件等获得数10项发明专利。
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中科无线半导体，由中国科大校友团队创办，具备多年化合物功率半导体研发及产业化经验，是一家基于化合物材料研发及生产的高端模拟芯片设计公司。
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5mm×6.5mm LGA-30pin
2×GaN HEMT + 1×半桥驱动器
适用于轻量化应用场景
8mm×8mm LGA-15pin
6×GaN HEMT
适用于消费电子类成本敏感型设备
10mm×10mm LGA-16pin
6×GaN HEMT + 3×半桥驱动器
适用于机器人关节驱动、新能源设备
及工业伺服系统等高功率密度场景
