围绕化合物半导体氮化镓（GaN）材料技术及研制应用于人工智能领域的大规模模拟和数字驱动芯片。其中人工智能动力系统芯片、SDR 无人机芯片、高集成AM数字驱动mini/micro LED芯片及HEMT、PHEMT器件等获得数10项发明专利。
您可以通过”产品列表“找到您想要了解的产品型号和规格。
您可以通过”样品申请“向我们发送您咨询的型号和规模参数，工作人员将会第一时间与您联系。
您可以第一时间了解到中科无线半导体有限公司的最新动态、公司新闻以及媒体资讯。
中科无线半导体，由中国科大校友团队创办，具备多年化合物功率半导体研发及产业化经验，是一家基于化合物材料研发及生产的高端模拟芯片设计公司。
您可以在此了解到中科无线半导体及其子公司的最新联系方式，也可以在线留言。
频率:2GHz~6GHz; 功率:37dBm
电压:28V; 增益:22dB; 电流:0.65A;
尺寸：7.8×4.8×3mm
支持LNA_EN,PA_EN,Vc1
