CT-UNITE
China GaN AM Digital Driver Leader

产品中心

围绕化合物半导体氮化镓(GaN)材料技术及研制应用于人工智能领域的大规模模拟和AM数字驱动芯片。公司于2025年2月发布全球首颗FPGA(AI ASIC)与可编程氮化镓(GaN)阵列驱动器的“具身机器人动力系统芯片”和“边缘AI物理姿态模型”、“机器人视觉触觉”的人工智能软件解决方案,获得多项发明专利,公司科研团队连续三年获得多项ICCV国际人工智能大赛二、三等奖,2024年获得国际计算机视觉触觉顶会CVPR 冠军。

AIPS

人工智能动力系统

基于人工智能大模型架构的GaN高电子迁移可编程动力系统芯片,公司科研团队连续三年获得多项ICCV国际人工智能大赛二、三等奖,2024年获得国际计算机视觉触觉顶会CVPR 冠军。

GaN

功率芯片

基于氮化镓(GaN)化合物半导体材料设计的低阻抗,高电子迁移率器件解决方案,为客户定制各类模块及器件,主要用于光伏逆变器、电机控制、新能源汽车,无线充电、中低压快充等。

RF CHIP

射频芯片

射频芯片是移动智能终端产品的核心组成部分,追求低功耗、高性能、低成本是其技术升级的主要驱动力,公司多款射频前端器件规模投放市场后得到客户一致好评,主要有Transceiver及射频前端 [如功率放大器(PA)、天线开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer和Diplexer) 和低噪声放大器(LNA)等]。

Mini LED

新一代显示驱动

Mini LED显示驱动芯片集成了高精度恒流控制、PWM产生和数字信号处理等部件, 是显示屏成像系统的主要部分, 负责接收图像数据并转换为PWM恒流驱动, 精确地控制相应的LED灰度显示。公司现有基于CPWM技术设计的大规模 8K Mini LED显示高刷新芯片,矩阵式LED背光驱动芯片,该技术领域获得国内60%以上发明专利。

新闻资讯

产品、市场、活动最新动态。

  • 首颗AI动力系统芯片发布,250Hz频率、32个自由度等表现出色

    此芯片借助“边缘物理模型”,输出阵列 PWM 控制物理量信号,内置 FPGA(AI ASIC)与阵列氮化镓 GaN 驱动器,使高频神经反射系统频率超 250Hz,感知、决策与执行链路延迟低于 5ms,逼近人类神经反射速度。           …

    太平洋科技 2025-03-05
  • 中科半导体发布首颗具身机器人动力系统芯片

        中科半导体团队推出首颗基于氮化镓(GaN)可编程具身机器人动力系统芯片,该芯片采用SIP封装技术,内置硬件加速引擎、高速接口、PWM信号阵列可编程单元及边缘图像处理和各类传感器及生物信息采集的高速接口。主要应用于多关节具身机器人及智能装备领域。<…

    中国电子企业协会 2025-03-04
  • 首颗AI模型约束物理量输出阵列信号的AI ASIC动力系统芯片发布

    近日中科(深圳)无线半导体有限公司推出具身机器人动力系统芯片,通过“边缘物理模型”输出阵列PWM控制物理量信号,内置FPGA(AI ASIC)+阵列氮化镓GaN驱动器,使高频神经反射系统频率超过250Hz,使其在感知-->决策-->执行链路的延迟低于5ms,接近人类神经反射速度(约…

    知乎 2025-03-03
  • 首颗AI模型约束物理量输出阵列信号的AI ASIC动力系统芯片发布

    近日中科(深圳)无线半导体有限公司推出具身机器人动力系统芯片,通过“边缘物理模型”输出阵列PWM控制物理量信号,内置FPGA(AI ASIC)+阵列氮化镓GaN驱动器,使高频神经反射系统频率超过250Hz,使其在感知-->决策-->执行链路的延迟低于5ms,接近人类神经反射速度(约…

    一点资讯 2025-03-03
  • 关于我们

    中科无线半导体,由中国科大校友团队创办,具备多年化合物功率半导体研发及产业化经验,是一家基于化合物材料研发及生产的高端模拟芯片设计公司。

    公司概况

    中科无线半导体团队 2011 年组建于合肥,2018 年搬到广东深圳,是一家军民融合企业,是中国科大校友团队创办,由“第三代半导体”模拟芯片设计领域的专家博导组成,包含 7 位教授及 11 位博士,获得国防及民用专利 43 项,累计发表论文 250 篇。团队来自各大军工所及中国科学院半导体研究所,具有丰富的化合物功率半导体研发及产业化经验,研发的芯片包括 HEMT、PHEMT、GaN/SiC、Transceiver 通信芯片、mini LED、micro LED、化合物半导体外延材料研发及氧化铝(AI2O3)材料生长蓝宝石衬底技术研制。产品主要应用于、新能源、无人机、无人装备、物联网、显示面板及快充等领域。

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    发展历程

    2023年 砷化镓/氮化镓 HEMT/PHEMT、GaN外延,进入量产阶段;2023年MiniLED8通道芯片,验证片合格;研制48通道芯片;2022年SiP工艺设计及物联网芯片、SiP封装机图像SOC+RFTransceiver实现量产;2019年研制光子微波连接器……

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    公司荣誉

    公司资质为国家级高新技术企业,国家级软件企业。获得专利100项、软件著作权9项、警用探针、透明算法加密系统等获得政府资助(500万元)。 荣获中国半导体联盟事单位,4G智能天线华为、中国移动5G联合创新中心合作伙伴...

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