CT2M330



SiC N-MOS  

CT2M330

SiC MOSFET 3300V

 

产品简介

CT2M330 系列器件是高性能的碳化硅功率开关管,具有多种导通阻抗规格。具有低栅极电容、低开关损耗、快速反向恢复和高耐压的特点,使其适用于高压高频开关场合。采用CT2M330系列碳化硅功率开关管可以减小电源系统体积、提高电源系统功率密度、提高效率、降低系统散热要求。4引脚封装可以最大化的提高碳化硅MOSFET的高速开关性能,进一步降低开关损耗。

产品特点

★ 高耐压

★ 低开关损耗

★ 低栅极电荷,高开关速度

★ 快速反向恢复的体二极管

★ 适用于高频开关

★ 导通电阻随温度变化小

技术配置与性能

产品名称

SiC N-MOS

   

CT2M33048

CT2M330160

漏源极最大耐压(VDSS)

3300V

封装

TO-247-4

封装尺寸

15.9mm×23.45mm

热阻 TO-247-4L

0.45/W

VGSS

-10V /+22V

VG_op:

5V /+18V

温度

焊接温度 (10) 260

工作结温范围 -55℃至175

存储温度范围:-55℃ 至 150

电阻RDS(on)_typ

48mΩ

160mΩ

工作电流(ID_TC25)

60A

20A

耗散功率(Tc = 25)

536W

230W

应用领域

光伏逆变器

电动汽车充电桩

高压DC/DC电源转换

开关电源

电机驱动

储能系统



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