CT2M330
SiC N-MOS
CT2M330
SiC MOSFET 3300V
产品简介
CT2M330 系列器件是高性能的碳化硅功率开关管,具有多种导通阻抗规格。具有低栅极电容、低开关损耗、快速反向恢复和高耐压的特点,使其适用于高压高频开关场合。采用CT2M330系列碳化硅功率开关管可以减小电源系统体积、提高电源系统功率密度、提高效率、降低系统散热要求。4引脚封装可以最大化的提高碳化硅MOSFET的高速开关性能,进一步降低开关损耗。
产品特点
★ 高耐压
★ 低开关损耗
★ 低栅极电荷,高开关速度
★ 快速反向恢复的体二极管
★ 适用于高频开关
★ 导通电阻随温度变化小
技术配置与性能
产品名称 | SiC N-MOS | |
型 号 | CT2M33048 | CT2M330160 |
漏源极最大耐压(VDSS) | 3300V | |
封装 | TO-247-4 | |
封装尺寸 | 15.9mm×23.45mm | |
热阻 TO-247-4L | 0.45℃/W | |
VGSS | -10V /+22V | |
VG_op: | 5V /+18V | |
温度 | 焊接温度 (10秒) :260℃ 工作结温范围 :-55℃至175℃ 存储温度范围:-55℃ 至 150℃ | |
电阻RDS(on)_typ | 48mΩ | 160mΩ |
工作电流(ID_TC25℃) | 60A | 20A |
耗散功率(Tc = 25℃) | 536W | 230W |
应用领域 | ★ 光伏逆变器 ★ 电动汽车充电桩 ★ 高压DC/DC电源转换 ★ 开关电源 ★ 电机驱动 ★ 储能系统 |