CT2M065



SiC N-MOS  

CT2M065

650V N-Channel MOSFET

 

产品简介

CT2M065 碳化硅(SiCMOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的EMI和减小的系统尺寸。

产品特点

★低电容高速开关

★高阻断电压,低RDS(on)

★具有独立驱动源引脚的优化封装

★易于并联,驱动简单

★符合ROHS标准

技术配置与性能

产品名称

SiC N-MOS

   

CT2M06512

CT2M06538

CT2M06560

漏源极最大耐压(VDSS)

650V

    

TO-247-4

VGSS

-10V /+22V

VG_op:

5V /+18V

电阻RDS(on)_typ

12mΩ

38mΩ

60mΩ

工作电流(ID_TC25)

150A

60A

36A

耗散功率

(Tc = 25)

550W

395W

175W

    

-55℃ 至 175

应用领域

电动汽车充电

DC/DC转换器

开关电源

功率因数校正模块

太阳能光伏逆变器

电动汽车充电

DC/DC转换器

开关电源

不间断电源

太阳能光伏逆变器

电动汽车充电

DC/DC转换器

开关电源

功率因数校正模块

太阳能光伏逆变器


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