CT2M065
SiC N-MOS
CT2M065
650V N-Channel MOSFET
产品简介
CT2M065 碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的EMI和减小的系统尺寸。
产品特点
★低电容高速开关
★高阻断电压,低RDS(on)
★具有独立驱动源引脚的优化封装
★易于并联,驱动简单
★符合ROHS标准
技术配置与性能
产品名称 | SiC N-MOS | ||||
型 号 | CT2M06512 | CT2M06538 | CT2M06560 | ||
漏源极最大耐压(VDSS) | 650V | ||||
封 装 | TO-247-4 | ||||
VGSS | -10V /+22V | ||||
VG_op: | 5V /+18V | ||||
电阻RDS(on)_typ | 12mΩ | 38mΩ | 60mΩ | ||
工作电流(ID_TC25℃) | 150A | 60A | 36A | ||
耗散功率 (Tc = 25℃) | 550W | 395W | 175W | ||
温 度 | -55℃ 至 175℃ | ||||
应用领域 | 电动汽车充电 DC/DC转换器 开关电源 功率因数校正模块 太阳能光伏逆变器 | 电动汽车充电 DC/DC转换器 开关电源 不间断电源 太阳能光伏逆变器 | 电动汽车充电 DC/DC转换器 开关电源 功率因数校正模块 太阳能光伏逆变器 |