GaN E-MODE FET

CT1901

700V E-MODE GaN HEMT

产品简介

CT1901器件是一系列高性能、高性价比的增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN是宽禁带高功率密度的第3代半导体材料，GaN HEMT具有寄生电容小和无体二极管的特点，反向恢复电荷为0，可大幅减少开关损耗。

CT1901 器件的最低漏源耐压650V，具有低栅极电荷、低输出电荷、低开关损耗和无反向恢复电荷优点。封装单独引出源极控制引脚SK，使得开关控制更可靠，从而提高开关频率。CT1901 器件适用于各类功率开关设计，尤其适用于超高频的开关电源设计。

产品特点

★ 增强型高电子迁移率晶体管

★ 低开关损耗

★ 低栅极电荷，低输出电荷

★ 无反向恢复电荷

★ 适用于超高频开关

★ 低栅极驱动电压

★ 低导通阻抗

 应用领域

★ ACDC开关电源转换器如AHB/LLC/QR 反激

★ 高压DCDC转换器

★ PFC

★ LED驱动

★ 电池快充

★ 各类适配器

技术配置与性能

产品图片