Release time:2025-05-30 18:13:35
中科无线半导体有限公司基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动芯片正式推出并商用,也是中科半导体机器人动力系统芯片家族“机器人关节驱动器芯片系列”之一。该系列芯片在高温环境下表现出更稳定的性能,具有更小的体积、更高的转换效率和更低的开关损耗,可有效降低热管理需求并提高系统紧凑度。便于机器人关节实现高效率与小尺寸的模块化设计,降低机器人重量以提高机器人的运动姿态稳定性。广泛应用于工业机器人、医疗机机器人等高功率密度场景,尤其在具身机器人驱动系统、伺服电机控制等领域展现出广阔应用前景。
本次发布正式商用型号为(CT-1906) LGA封装集成6个GaN HEMT(三相半桥拓扑)与3路独立驱动器,支持80V连续电压/100V瞬态电压、60A持续电流输出以及支持5MHz开关频率。同步推出CT-1904、CT-1902系列,通过统一器件规格(GaN FET性能、封装工艺)与分级集成策略,降低客户多平台开发成本,实现从“全集成”到“可扩展”的无缝衔接,满足工业自动化、新能源设备及具身智能领域的差异化需求。
技术优势
高集成度、高可靠性、低功耗、全面保护机制,以及优异的动态响应和电磁兼容性。采用半桥拓扑阵列GaN HEMT器件,大幅缩小半桥驱动电路的体积,实现小体积大能量,是小尺寸、高功率密度电机驱动的首选。实现开关频率1MHz以上,98.5%能量转换效率(较传统Si基方案提升40%),温升ΔT≤25K@满载)。
参数 | CT-1906 | CT-1904 | CT-1902 |
封装尺寸 | 10mm×10mm LGA-16pin(符合JEDEC MS-034标准) | 8mm×8mm LGA-15pin(符合JEDEC MS-034标准) | 5mm×6.5mm LGA-30pin(符合JEDEC MS-034标准) |
集成器件 | 6 *GaN HEMT + 3*半桥驱动器 | 6*GaN HEMT | 2 *GaN HEMT + 1*半桥驱动器 |
典型应用功耗 | 13W(@48V, 50%占空比) | 13W(外驱另计) | 12.5W@48V, 50%占空比) |
系统开发复杂度 | 低(全集成) | 中(需拓扑设计) | 低(成本低廉) |
电气特性 | - 工作电压:12V~80V(连续)/100V(瞬态, ≤100ms) - 单通道输出电流:60A(连续, Ta=25°C)/230A(脉冲, 100μs) - 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(最大值,@VGS=5V, ID=25A, TJ=25°C) | - 工作电压:12V~80V(连续)/100V(瞬态, ≤100ms) - 单通道输出电流:60A(连续, Ta=25°C)/230A(脉冲, 100μs) - 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(最大值,@VGS=5V, ID=25A, TJ=25°C) | - 工作电压:12V~80V(连续)/100V(瞬态, ≤100ms) - 单通道输出电流:60A(连续, Ta=25°C)/230A(脉冲, 100μs) - 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(最大值,@VGS=5V, ID=25A, TJ=25°C) |
动态性能 | - 开关频率范围:0~5MHz(全温度范围) - 栅极驱动上升/下降时间:10ns/3ns(典型值, TJ=25°C) | - 开关频率范围:0~5MHz(全温度范围) - 栅极驱动上升/下降时间:10ns/3ns(典型值, TJ=25°C) | - 开关频率范围:0~5MHz(全温度范围) - 栅极驱动上升/下降时间:10ns/3ns(典型值, TJ=25°C) |
保护功能 | - OTP:过温保护165度,过温恢复145度 ESD保护:人体模式 1000V 器件放电模式1000V | - | - OTP:过温保护165度,过温恢复145度 ESD保护:人体模式 1000V 器件放电模式1000V |
热阻 | 结到环境:θJA=59°C/W 结到基板:θJC=4.0°C/W | 结到环境:JA=59°C/W 结到基板:JC=4.0°C/W | 结到环境:θJA=59°C/W 结到基板:θJC=4.1°C/W |
环境适应性 | 工作温度:-40°C~+125°C(结温) | 工作温度:-40°C~+125°C(结温) | 工作温度:-40°C~+125°C(结温) |
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