Zhongke Semiconductor's gallium nitride robot joint chip was officially commercialized

Release time:2025-05-30 18:13:35


中科无线半导体有限公司基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动芯片正式推出并商用,也是中科半导体机器人动力系统芯片家族“机器人关节驱动器芯片系列”之一。该系列芯片在高温环境下表现出更稳定的性能,具有更小的体积、更高的转换效率和更低的开关损耗,可有效降低热管理需求并提高系统紧凑度。便于机器人关节实现高效率与小尺寸的模块化设计,降低机器人重量以提高机器人的运动姿态稳定性。广泛应用于工业机器人、医疗机机器人等高功率密度场景,尤其在具身机器人驱动系统、伺服电机控制等领域展现出广阔应用前景。


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本次发布正式商用型号为(CT-1906) LGA封装集成6个GaN HEMT(三相半桥拓扑)与3路独立驱动器,支持80V连续电压/100V瞬态电压、60A持续电流输出以及支持5MHz开关频率。同步推出CT-1904、CT-1902系列,通过统一器件规格(GaN FET性能、封装工艺)与分级集成策略,降低客户多平台开发成本,实现从“全集成”到“可扩展”的无缝衔接,满足工业自动化、新能源设备及具身智能领域的差异化需求。


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技术优势

高集成度、高可靠性、低功耗、全面保护机制,以及优异的动态响应和电磁兼容性。采用半桥拓扑阵列GaN HEMT器件,大幅缩小半桥驱动电路的体积,实现小体积大能量,是小尺寸、高功率密度电机驱动的首选。实现开关频率1MHz以上,98.5%能量转换效率(较传统Si基方案提升40%),温升ΔT≤25K@满载)。



参数

CT-1906

CT-1904

CT-1902

封装尺寸

10mm×10mm LGA-16pin(符合JEDEC MS-034标准)

8mm×8mm LGA-15pin(符合JEDEC MS-034标准)

5mm×6.5mm LGA-30pin(符合JEDEC MS-034标准)

集成器件

6 *GaN HEMT + 3*半桥驱动器

6*GaN HEMT

2 *GaN HEMT + 1*半桥驱动器

典型应用功耗

13W(@48V, 50%占空比)

13W(外驱另计)

12.5W@48V, 50%占空比)

系统开发复杂度

低(全集成)

中(需拓扑设计)

低(成本低廉)

电气特性

- 工作电压:12V~80V(连续)/100V(瞬态, ≤100ms)

- 单通道输出电流:60A(连续, Ta=25°C)/230A(脉冲, 100μs)

- 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(最大值,@VGS=5V, ID=25A, TJ=25°C)

- 工作电压:12V~80V(连续)/100V(瞬态, ≤100ms)

- 单通道输出电流:60A(连续, Ta=25°C)/230A(脉冲, 100μs)

- 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(最大值,@VGS=5V, ID=25A, TJ=25°C)

- 工作电压:12V~80V(连续)/100V(瞬态, ≤100ms)

- 单通道输出电流:60A(连续, Ta=25°C)/230A(脉冲, 100μs)

- 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(最大值,@VGS=5V, ID=25A, TJ=25°C)

动态性能

- 开关频率范围:0~5MHz(全温度范围)

- 栅极驱动上升/下降时间:10ns/3ns(典型值, TJ=25°C)

- 开关频率范围:0~5MHz(全温度范围)

-  栅极驱动上升/下降时间:10ns/3ns(典型值, TJ=25°C)

- 开关频率范围:0~5MHz(全温度范围)

-  栅极驱动上升/下降时间:10ns/3ns(典型值, TJ=25°C)

保护功

- OTP:过温保护165度,过温恢复145度

ESD保护:人体模式        1000V

器件放电模式1000V

-

- OTP:过温保护165度,过温恢复145度

ESD保护:人体模式        1000V

器件放电模式1000V

热阻

结到环境:θJA=59°C/W

结到基板:θJC=4.0°C/W

结到环境:JA=59°C/W

结到基板:JC=4.0°C/W

结到环境:θJA=59°C/W

结到基板:θJC=4.1°C/W

环境适应性

工作温度:-40°C~+125°C(结温)

工作温度:-40°C~+125°C(结温)

工作温度:-40°C~+125°C(结温)



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